第三百八十四章 MOCVD

第(1/2)页

第三百八十四章

        目前,发展较好的宽禁带半导体主要是s和gan这两种。

        在燕大的半导体研究中心这,主要研究的宽禁带半导体对象是gan。

        在gan基宽禁带半导体领域,该研究中心一直处于国内领先地位。

        注册拥有的和gan宽禁带半导体有关的发明专利,多达二十多个。

        包括gan基外延层的大面积、低功率激光剥离方法,铟镓氮单晶薄膜ovd外延生长技术等等。

        第三代宽禁带半导体拥有良好的物理化学性能,可应用在诸多的领域。

        而现在,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域。

        各个领域产业成熟度各不相同。

        但在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

        目前市面上主流的半导体,还是以第一代半导体和第二代半导体为主。

        其原因嘛……

        当然是第三代宽禁带半导体还有很多技术难题没有攻克。

        燕大的半导体研究所正在进行的工作,就是全力攻克这些难题,早日实现第三代半导体技术的彻底成熟,应用于市场。

        …………

        宽禁带半导体实验室,顾律三人穿着深棕色的实验服,在张主任的带领下走进去。

        实验室的面积很大。

        将近有半个篮球场的大小。

        一眼望去,可以看到实验室内数位研究员在各台仪器前紧张的忙碌着。

        “主任好。”

        “主任好。”

        几位年轻的研究员助理见到张主任进来,客气的打招呼。

        张主任点点头,然后摆摆手,“你们接着忙,接着忙。”

        “我们先去ovd那边吧。”张主任压低声音,询问顾律。

        顾律点头一笑。

        张主任带着顾律来到一台一个高的长方形设备面前。

        “这个就是我们实验室的ovd了!”张主任拍拍设备外面的铁壳,笑着为顾律介绍。

        顾律上下打量了这台设备一番。

        所谓的ovd,是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。

        该设备以3族、2族元素的有机化合物和v、6族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种3-v主族、2-6副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

        上面说的有些复杂。

        简单来理解的话,就是通过这台ovd设备,可以将有机化合物和氢化物,合称为实验室所需的gan宽禁带半导体。

        这是一台生长宽禁带半导体的仪器。

        顾律在国外见过这种设备。

        不过国内和国外的ovd系统是有些区别的。

        因为ovd系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性,所以国内和国外ovd系统的主要区别在于反应室结构。

        在国外,反应室结构大多采用‘turbods反应’,而国内则是采用‘行星反应’。

        两者各有其优劣,说不上谁更好。

        但呈现在顾律面前的这台ovd,虽然使用的仍旧是国内的行星反应

(本章未完,请翻页)
上一章返回目录 投推荐票 加入书签下一页